رقائق ذاكرة جديدة تسمح بسعة تخزين فائقة وسريعة
٢٠ مايو ٢٠١٢
ذكر موقع "ساينس ديلي" الإلكتروني أن باحثين في جامعة لندن طوروا أول رقيقة ذاكرة مصنوعة بصورة خالصة من السيلكون تعتمد على أكاسيد المعادن. وتعتمد رقائق ذاكرة الوصول العشوائي "ريزيستيف رام" على مواد، معظمهما أكاسيد معادن، تتغير مقاومتها الكهربائية عندما يمر بها تيار كهربائي - و"تتذكر" هذه التغييرات حتى عندما ينقطع التيار الكهربائي. وتعد رقائق الذاكرة "ريزيستيف رام" بإمكانية تخزين كبيرة جدا مقارنة بالتكنولوجيا الحالية، مثل الذاكرة الوميضية (فلاش) التي تستخدم في عصيان "ناقل متسلسل عالمي"(يو إس بي) وتتطلب طاقة ومساحة أقل بكثير جدا.
وطور فريق الباحثين هيكلا جديدا يتكون من أكسيد السيلكون، وصف في ورقة بحثية نشرت مؤخرا في "دورية الفيزياء التطبيقية"(جورنال أوف أبلايد فيزيكس) ، يمكنه إجراء التغيير في المقاومة بكفاءة أكبر مما تم إنجازه من قبل. وفي مادة الرقائق يتغير ترتيب ذرات السيلكون ليشكل خيوطا من السيلكون في أكسيد السيلكون الصلب، وهو أقل مقاومة. ويمثل وجود أو غياب هذه الخيوط "تحولا" من حالة لأخرى.
(ع.ج.م/ د ب أ)
مراجعة: منصف السليمي